梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法

摘要

一种梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法，特点是在单一硅片正面制作谐振梁在背面制作压力敏感膜，谐振梁由两个半岛结构支撑，通过多孔硅牺牲层技术实现，材料选用低应力厚氮化硅。这样不仅简化微谐振式压力传感器的制作工艺，而且提高了压力灵敏度。

主权项

1、一种梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片，其特征在于，其中包括：一硅片，硅片上制作有一层氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜和硅片上开有一凹槽，该凹槽概似一工字形，形成两矩形半岛，该两矩形半岛上的氮化硅连通为谐振梁；该硅片上开的凹槽周围为矩形框架，该凹槽的底部为矩形压力膜。