发明名称 | 带有适合射频应用的导体结构的元件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种用于制造基片(1)的方法,所述基片包括适合于射频应用的导体配置(4,41,42),所述基片具有改善的射频特性。该制造方法包括如下步骤:将在触点连接区(71-74)上方具有至少一个开口(8)的结构化玻璃层(9,91,92,93,13)沉积到基片(1)上;以及将至少一个导体结构(100,111,112,113)敷设到玻璃层(9,91-93)上,所述导体结构与触点连接区(71-74)电接触。 | ||
申请公布号 | CN1685507A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
申请号 | CN03811798.3 | 申请日期 | 2003.05.23 |
申请人 | 肖特股份公司 | 发明人 | 于尔根·莱布;迪特里希·蒙德 |
分类号 | H01L23/66 | 主分类号 | H01L23/66 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李勇 |
主权项 | 1、一种用于制造元件(10)的方法,所述元件具有适用于射频应用的导体结构(4,41,42),包括如下步骤:-通过蒸镀将结构化的玻璃层(9,91,92,93,13)沉积到基片(1)上,其中所述玻璃层在触点连接区(71-74)上方具有至少一个开口(8);以及-将至少一个导体结构(100,111,112,113)敷设到玻璃层(9,91,92,93)上,所述导体结构与触点连接区(71-74)电接触。 | ||
地址 | 德国美因茨 |