发明名称 | 半导体元器件和制造方法 | ||
摘要 | 为了避免或者补偿元器件中的热应力,一种半导体元器件具有一个发光的半导体层或者一个发光的半导体元件、两个接触点和一个垂直或者水平结构化的载体基片,本发明还涉及一种制造半导体元器件的方法。热应力由于温度变换并且因为半导体和载体基片不同的膨胀系数在加工和运行过程中产生。使载体基片结构化从而热应力充分地被避免或者被补偿,使得元器件不产生故障。 | ||
申请公布号 | CN1685531A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
申请号 | CN03823395.9 | 申请日期 | 2003.09.05 |
申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | D·埃泽尔特;S·伊勒克;W·施米德 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
主权项 | 1.半导体元器件,其具有一个发光半导体层或者一个发光半导体元件(2)和两个接触点(3、8),这两个接触点是一个接触层(3)和一个触点(8),其特征在于,该元器件设置在一个载体基片(7)上并且载体基片(7)垂直或者水平结构化。 | ||
地址 | 德国雷根斯堡 |