一种不同厚度栅极氧化层的制造方法

摘要

本发明公开了一种不同厚度栅极氧化层的制造方法，首先提供一具有复数个组件隔离结构的半导体基底。接着，在半导体基底表面形成第一氧化层，并对该第一氧化层提供一掺质，掺有掺质的部分第一氧化层形成第二氧化层，其中第一氧化层与第二氧化层具有不同的特性。之后，去除第一区域的第二氧化层与第一氧化层，暴露出该半导体基底表面，再去除第二区域的第二氧化层，暴露出第一氧化层，并在第一区域暴露出的基底表面另形成一氧化层，最后去除第二区域残余的第二氧化层。根据该制造方法，可在第一区域与第二区域形成不同厚度栅极氧化层。

主权项

1.一种不同厚度栅极氧化层的制造方法，其特征在于：该制造方法至少包括下列步骤：提供一半导体基底，该基底具有多个组件隔离结构，且该半导体基底具有一第一区域与一第二区域；在该半导体基底表面形成一第一氧化层；对该第一氧化层提供一掺质，而掺有掺质的部份该第一氧化层形成一第二氧化层，其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的特性；去除该第一区域的该第二氧化层与该第一氧化层，暴露出该半导体基底表面；去除该第二区域的该第二氧化层，暴露出该第一氧化层，则在该第二区域形成一第一厚度的栅极氧化层；在该第一区域暴露出的该半导体基底表面形成一第二厚度的栅极氧化层。