| 摘要 |
本发明提供一种用于制造金属氧化物半导体积体电路元件的方法与装置，该方法依序包括：(a)于一基板(100)之上提供一闸极(106)；(b)于该闸极(106)的一侧护壁之上提供一分隔体(108)；(c)于该基板(100)中形成一源极／汲极区(110)；(d)实质完全移除该分隔体(108)；(e)于该基板(100)中形成一源极／汲极扩充区(114)；(f)于该基板(100)中，该闸极(106)的下方形成一源极／汲极袋状区(116)；以及(g)实施一退火制程，用以实质同时电活化该源极／汲极区(110)、该源极／汲极扩充区(114)、以及该源极／汲极袋状区(116)。 |
