| 发明名称 | LED芯片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种LED芯片，包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。该LED芯片，通过设置阶梯状的透明导电层，可以有效减少电流拥堵，进而芯片的发光效率得到提高，寿命长、稳定性得到增强。本发明还提出一种LED芯片的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105742453A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201410738682.6 | 申请日期 | 2014.12.08 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 张杰;彭遥 |
| 分类号 | H01L33/42(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/42(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||