薄膜电晶体及其制作方法

摘要

本发明揭示一种薄膜电晶体及其制作方法。上述薄膜电晶体包括一基底，包含有第一薄膜电晶体区域以及第二薄膜电晶体区域，其中第一薄膜电晶体区域做为周边驱动电路区域，第二薄膜电晶体区域做为画素阵列区域，依不同的元件特性需求，制作不同厚度之闸极绝缘层。第一有效层与第二有效层系分别形成于基底之第一薄膜电晶体区域与第二薄膜电晶体区域上。第一闸极绝缘层系形成于第一有效层与第二有效层上。第一闸极层系形成于第一薄膜电晶体区域之第一闸极绝缘层上。第二闸极绝缘层系直接形成于第二薄膜电晶体区域之第一闸极绝缘层上，以及第二闸极层系形成于第二薄膜电晶体区域之该第二闸极绝缘层上。其中，第一薄膜电晶体区域中第一闸极层下方之绝缘层厚度为第一闸极绝缘层之厚度，而第二薄膜电晶体区域中第二闸极层下方之绝缘层厚度为第一闸极绝缘层与第二闸极绝缘层之总和厚度。