发明名称 半导体元件(二) SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 一半导体元件可包括一包括锌–铟氧化物薄膜的通道。
申请公布号 TW200534368 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW094106254 申请日期 2005.03.02
申请人 惠普研发公司 发明人 江海;贺夫曼 兰迪;洪 大卫;德休夫 尼可;华格 约翰
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国
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