| 摘要 |
一种用于研磨半导体晶圆上铜金属层之化学机械研磨浆，包含胶体二氧化矽(colloidal silica)及由双氧水(hydrogen peroxide)、醋酸(acetic acid)及酸(phthalic acid)组成之化学蚀剂，其中系以双氧水将铜金属层之表面氧化，随后醋酸与铜氧化物反应形成醋酸铜，此依据选择性、功能性之化学反应机制，可加速研磨移除效率、同时降低刮痕现象，而酸提供pH缓冲剂(buffering agent)与错合剂(complexing agent)之作用，可促进晶圆表面各点之反应浓度更为均匀，而于铜金属层之化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing)过程中，展现高移除率与高均匀度(uniformity)之效能者。 |
