发明名称 关键图案撷取方法、关键图案撷取程式、以及制造半导体装置的方法
摘要 本发明揭示一种关键图案撷取方法,其自用于制造一微影步骤内使用的一光罩之遮罩资料撷取关键图案,该方法至少包含:自该等遮罩资料内决定之一关注部分撷取一预定范围内之一周边区域的遮罩资料;将构成该周边区域之部分定义为参考部分并藉由模拟计算在该微影步骤内由该每个参考部分产生之程序产生数量;藉由使用该等程序产生数量及该关注部分与该每个参考部分间之距离执行一预定算术运算;执行该周边区域内之该预定算术运算所获得之一算术运算值的多重积分或等效于该多重积分之一算术运算,以计算一程序影响数量;以及比较该程序影响数量与一预定临界值。
申请公布号 TW200534036 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW093138016 申请日期 2004.12.08
申请人 东芝股份有限公司 发明人 河村大辅;野岛茂树;三本木省次
分类号 G03F1/08;G06F17/50 主分类号 G03F1/08
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本