| 发明名称 | 单晶金刚石 | ||
| 摘要 | 提供了一种从在基本上没有表面缺陷的基质上通过化学气相淀积(CVD)生长的CVD金刚石生产大面积的单晶金刚石板的方法。横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相外延CVD生长的金刚石和所述基质，以生产大面积的单晶CVD金刚石板。 | ||
| 申请公布号 | CN1681976A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03822264.7 | 申请日期 | 2003.09.19 |
| 申请人 | 六号元素有限公司 | 发明人 | G·A·斯卡斯布鲁克;P·M·马蒂诺;D·J·特威切恩 |
| 分类号 | C30B25/02;C30B29/04;C30B33/00 | 主分类号 | C30B25/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 宁家成 |
| 主权项 | 1.一种生产单晶金刚石板的方法，该方法包括如下步骤：提供具有基本上没有表面缺陷的表面的金刚石基质，通过化学气相淀积(CVD)在所述表面上均相外延地生长金刚石，和横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相外延CVD生长的金刚石和所述基质，以生产单晶CVD金刚石板。 | ||
| 地址 | 英国男人岛 | ||