发明名称 | 具有间隙结构的高压静电放电保护装置 | ||
摘要 | 一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置,运用于横向扩散金氧半场效晶体管(LDMOS)。本发明利用LDMOS既有的结构,额外加上一间隙结构,用以分隔扩散区与场氧化区。当LDMOS的一寄生的硅控整流器未导通时,使ESD电流分散于其它放电路径,用以避免ESD电流过于集中于某一放电路径,进而造成元件的损坏。 | ||
申请公布号 | CN1681122A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
申请号 | CN200410031110.0 | 申请日期 | 2004.04.06 |
申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 林耿立;周业宁;柯明道 |
分类号 | H01L27/00;H01L23/60 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
主权项 | 1.一种具有间隙结构的高压静电放电保护装置,其特征在于所述静电放电保护装置包括:一第一导电型基底;一第二导电型井区,形成于该基底中;一第二导电型第一扩散区,形成于该基底中;一闸极,用以控制该第二导电型第一扩散区与该井区的电性连接,该闸极、该第二导电型第一扩散区与该井区构成一场效晶体管;一第三导电型第一扩散区,形成于该井区中;一场氧化区,形成于该井区中,位于该闸极与该第三导电型第一扩散区之间;以及一间隙,形成于该井区中,位于该场氧化区与该第三导电型第一扩散区之间。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |