带有外延隐埋层的瓶形沟槽式电容器

摘要

瓶形沟槽式电容器，其具有拓展的沟槽下部，在该拓展的沟槽下部内有epi层。该epi层起沟槽式电容器的隐埋极板的作用。一个扩散区包围拓展的沟槽下部，用以增强epi层的掺杂剂浓度。扩散区例如是通过汽相掺杂、等离子体掺杂或等离子体浸没离子注入法形成的。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：瓶形沟槽式电容器，其包括拓展的沟槽下部；和外延层，它衬在位于一个氧化物衬垫圈下方侧壁的拓展的沟槽下部的侧壁上，所述氧化物衬垫圈衬在沟槽的上部，该外延层与沟槽中的氧化物衬垫圈相邻，以使该氧化物衬垫圈和该外延层没有在该沟槽的侧壁上重叠。