发明名称 半导体装置的制造方法以及研磨装置
摘要 在半导体装置的制造时,在基片的表面上形成元件的一部分,利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分,该研磨体被从上述周边部分向上述基片面内方向撑开设置,使得研磨面与上述周边部分的被研磨表面滑动接触。
申请公布号 CN1222985C 申请公布日期 2005.10.12
申请号 CN02153589.2 申请日期 2002.11.26
申请人 株式会社东芝 发明人 中村賢朗;宫下直人;依田孝;奥村勝弥
分类号 H01L21/304;H01L21/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 李峥;陈海红
主权项 1.一种半导体装置的制造方法,包括:在基片的表面上形成元件的一部分,利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分,该研磨体从上述基片的周边部分向上述基片面内方向撑开设置、使得研磨面摩擦接触到上述周边部分的被研磨表面。
地址 日本东京