| 发明名称 | 半导体基板、形成于其中的半导体电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体基板与一种形成于其中的半导体电路，以及关于其相关的制造方法；藉由分别具有一介电层(D)与一电容器电极(E2)的多个凹槽的形成，以于一载体基板(1)中形成内埋式电容器，且一实际半导体组件层(3)乃藉由一绝缘层(2)而与该载体基板(1)绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN1682369A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN03822003.2 | 申请日期 | 2003.09.13 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | F·霍夫曼恩;V·勒赫曼恩;L·里斯奇;W·雷斯纳;M·斯佩奇特 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体基板，具有：一载体基板(1)；一半导体组件层(3)；以及一绝缘层(2)，其形成于该载体基板(1)与该半导体组件层(3)间其特征在于在该载体基板(1)面向该绝缘层(2)的一表面中形成多个凹槽(P)，一介电层(D)，其形成于该多个凹槽(P)与该载体基板(1)的表面；以及一导电层(E2)，其至少形成于该多个凹槽(P)中，以形成多个电容器电极，另一导电层系形成于该载体基板(1)中，以至少在该等凹槽之区域中形成电容器反向电极(E1)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||