半导体装置的制造方法和半导体装置

摘要

本发明的课题在于得到能适当地抑制因掺杂剂的穿透引起的阈值电压的变动的半导体装置的制造方法。在非晶硅膜21内注入高浓度的氢离子40。利用氢离子40的离子注入，在非晶硅膜21内形成氢离子注入层41。其次，通过进行热处理，在形成了氢离子注入层41部分以外的非晶硅膜21内形成柱状晶粒。另一方面，在氢离子注入层41内形成粒状晶粒。粒状晶粒层42具有沿多晶硅膜44a的膜厚方向延伸的晶粒边界及沿多晶硅膜44a的膜厚方向以外的方向延伸的晶粒边界等在多个方向上延伸的多个晶粒边界。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：(a)准备半导体衬底的工序；(b)在上述半导体衬底的主表面上经绝缘膜形成非晶质的半导体膜的工序；(c)在上述半导体膜内导入低电阻化用的杂质的工序；(d)在上述半导体膜内导入氢离子或氘离子的工序；(e)通过进行热处理使上述非晶质多晶化的工序；以及(f)通过对上述半导体膜进行构图、在上述半导体衬底的上述主表面上经栅绝缘膜形成栅电极的工序。