| 发明名称 | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置及处理方法，在等离子体处理中，以简易且低成本而使高频放电容易开始，稳定维持放电，其特征为，从片段磁铁(M<SUB>0</SUB>)下面(N极)出发的磁力线的一部分(B<SUB>M</SUB>)降落到正下方周边等离子体区域(PS<SUB>B</SUB>)，向上方作U型回转，到达圆周方向相邻的片段磁铁(M<SUB>E</SUB>)下面(S极)。从片段磁铁(m<SUB>E</SUB>)下面(N极)发出的磁力线一部分(Bm)从降落到正下方的周边等离子体区域(PS<SUB>B</SUB>)开始，向上方作U型回转，到达圆周方向相邻的片段磁铁(m<SUB>0</SUB>)下面(S极)；此外，从外侧片段磁铁(M<SUB>0</SUB>)下面(N极)出发的磁线一部分(B<SUB>C</SUB>)从降落到正下方周边等离子体区域(PS<SUB>B</SUB>)开始，向上方作U型回转，到达半径方向相邻的内侧的片段磁铁(m<SUB>0</SUB>)下面(S极)。 | ||
| 申请公布号 | CN1681092A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN200510063523.1 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岩崎征英;请井智聪 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种等离子体处理方法，向可减压的腔室内流入处理气体并形成高频电场，生成所述处理气体的等离子体，在大体水平地配置于所述腔室内规定位置的被处理基板上，在所述等离子体下施以所希望的等离子体处理，其特征在于，在所述腔室内的等离子体生成空间中，在比所述基板外周端还处于半径方向外侧的周边等离子体区域，形成磁场，其中，磁力线通过该区域内，而且所述磁力线的始点及终点至少一方相比于所述腔室侧壁而位于半径方向内侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||