在一种材料和用该材料加工的半导体结构中产生图形的方法

摘要

本发明是一种制造半导体器件的方法，其中在诸如半导体材料的材料中产生小尺寸的结构，该方法利用第一和第二图形，第二图形和第一图形完全相同，但互相之间位移一段距离。应用两个掩模层；第一图形通过选择性刻蚀被刻蚀进上掩模层，第二图形产生在上掩模层上或在下掩模层上的上掩模层已经被去除的位置上。现在，根据第二图形，部分下掩模层和/或上掩模层被刻蚀掉，导致一个由下掩模层和上掩模层的留下部分形成的掩模，该掩模具有由第二图形相对于第一图形的位移确定的尺寸的结构。现在该掩模可用于将未覆盖的材料刻蚀掉，因此在材料中产生具有小尺寸的结构。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其中图形在一种材料中产生，该方法包括：用一个下掩模层(3)覆盖该材料和用一个上掩模层(4)覆盖该下掩模层(3)；通过光刻掩模的方法产生上掩模层(4)上的第一图形；取决于该第一图形去除部分上掩模层(4)；其特征在于：通过光刻掩模的方法在上掩模层(4)上或下掩模层(3)上的上掩模层(4)已经去除的位置上产生一个第二图形，掩模被位移一段距离，使第二图形相对于第一图形位移；至少根据该第二图形去除下掩模层(3)和/或上掩模层(4)的一部分；根据下掩模层(3)和上掩模层(4)的留下部分形成的掩模去除材料的一部分。