发明名称 | 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构 | ||
摘要 | 本实用新型是有关于一种氮化镓系发光二极管的垂直电极结构,其是揭示一种氧化物窗户层,使为垂直电极的氮化镓是发光二极管,有效地降低弗列斯涅折射损失(Fresnelreflection loss)及全反射(total reflection)进而提高外部发光效率,且,更进一步包含一金属反射层,使其对入射角并无选择性地反射,所以能增加反射角频宽,故能有效地将自一发光层所发出的光反射且此结构又可增加散热的效果及增进抗静电的能力(ESD),故能增进元件的工作寿命并适合于高电流驱动的应用,再者,本实用新型的垂直电极结构能降低晶片制作的单位面积,并有利于传统的打线封装后段制程。 | ||
申请公布号 | CN2733598Y | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
申请号 | CN200420118205.1 | 申请日期 | 2004.10.08 |
申请人 | 炬鑫科技股份有限公司 | 发明人 | 赖穆人;洪详竣 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
主权项 | 1.一种氮化镓系发光二极管的垂直电极结构,其特征在于所述氮化镓是发光二极管的垂直电极结构主要是包括:一第一电极;一导电基板,其是位于该第一电极的上方;一金属反射层,其是位于该导电基板的上方;一氮化镓是半导体堆栈结构,其是位于该金属反射层层的上方;一氧化物窗户层,其是位于该氮化镓系半导体堆栈结构的上方;一第二电极,其是位于该氧化物窗户层的上方。 | ||
地址 | 台湾省桃园县 |