| 主权项 |
1.一种具完整边缘之接合晶圆制法,包含:结合一具有较短幅长之元件层晶圆于一承载层晶圆上以构成一接合晶圆,其中该元件层晶圆之幅长短于该承载层晶圆之幅长;经由热处理强化晶圆的接合强度,而后修整晶圆之边缘并薄化该元件层晶圆,使元件层晶圆形成底部较宽而顶部较窄之金字塔形,而形成一具有完整边缘之接合晶圆。2.如申请专利范围第1项所述具完整边缘之接合晶圆制法,该边缘修整方式系采用机械倒角或化学蚀刻方式或边缘抛光方式。3.如申请专利范围第1项所述具完整边缘之接合晶圆制法,该元件层晶圆之较佳幅长为50m到300m。4.如申请专利范围第1项所述具完整边缘之接合晶圆制法,该元件层晶圆之较佳厚度为50m到500m。5.一种具完整边缘之接合晶圆制法,包含:修整一元件层晶圆及一承载层晶圆之边缘,使两晶圆之幅长较为圆、短;结合该元件层晶圆于承载层晶圆上以构成一接合晶圆;经过热处理与边缘修整之后,薄化该元件层晶圆,使元件层晶圆形成底部较宽而顶部较窄之金字塔形,而形成一具有完整边缘之接合晶圆。6.如申请专利范围第5项所述具完整边缘之接合晶圆制法,该边缘修整方式系采用机械倒角或化学蚀刻方式或边缘抛光方式。7.如申请专利范围第5项所述具完整边缘之接合晶圆制法,该元件层晶圆及承载层晶圆之较佳幅长为50m到300m。8.一种具完整边缘之接合晶圆,系令一具有较短幅长之元件层晶圆接合于一承载层晶圆上以构成一接合晶圆,其中该元件层晶圆系经薄化处理,使该元件层晶圆与承载层晶圆之接合面宽于其自身顶部,以形成一具有完整边缘之接合晶圆。9.如申请专利范围第8项所述具完整边缘之接合晶圆,该元件层晶圆之较佳幅长为50m到300m。10.如申请专利范围第8项所述具完整边缘之接合晶圆,该元件层晶圆之较佳厚度为50m到500m。11.如申请专利范围第8项所述具完整边缘之接合晶圆,该元件层晶圆及承载层晶圆可为单层结构。12.如申请专利范围第8项所述具完整边缘之接合晶圆,该元件层晶圆及承载层晶圆可为多层结构。13.如申请专利范围第12项所述具完整边缘之接合晶圆,该多层结构包含磊晶层、氧化层、金属层。14.如申请专利范围第8项所述具完整边缘之接合晶圆,在不考虑边缘内1mm的范围内,该元件层晶圆和承载层晶圆的直径差异小于1mm。图式简单说明:第一图:系一习用晶圆经抛光处理后其边缘倾斜示意图。第二A、二B图:系习用晶圆经接合处理后之示意图。第三A、三B图:系第二图习用接合晶圆经薄化处理后之示意图。第四图:为本创作两晶圆接合尚未进行薄化处理之示意图。第五图:为本创作两晶圆接合已进行薄化处理之示意图。第六图:第五图接合晶圆之外观示意图。第七A、七B图:为本创作之接合方式与习用晶圆接合方式两者之对比示意图。第八图:为本创作另一晶圆接合方式之示意图。 |
