| 主权项 |
1.一种铜箔检查装置,其包含:光源,其系照射光至铜箔表面者;第1受光手段,其系接受来自前述铜箔表面的正反射光者;第2受光手段,其系接受来自前述铜箔表面的散射光者;判定部,其系藉由前述第1受光手段接受之铜箔表面的特定区域的光的光量在第1临界値以上,而藉由前述第2受光手段接受之前述特定区域的光的光量较第1临界値小的第2临界値以下时,判定前述特定区域为不良铜部分者。2.根据申请专利范围第1项之铜箔检查装置,其中前述判定部进一步藉由第1受光手段接受之光的光量较第1临界値大的第3临界値以上的区域,存在于前述特定区域的内部时,判定前述特定区域为前述不良铜部分。3.根据申请专利范围第1项之铜箔检查装置,其中前述判定部,系在前述指定区域为指定大小以上时,判定该指定区域为前述不良铜部分。4.根据申请专利范围第2项之铜箔检查装置,其中前述判定部,系在前述指定区域为指定大小以上时,判定该指定区域为前述不良铜部分。5.根据申请专利范围第1项之铜箔检查装置,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。6.根据申请专利范围第2项之铜箔检查装置,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。7.根据申请专利范围第3项之铜箔检查装置,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。8.根据申请专利范围第4项之铜箔检查装置,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。9.根据申请专利范围第1至8项中任一项之铜箔检查装置,其中进一步具备较第1及第2受光手段解析度更高的第3受光手段,其系接受来自判定为前述不良铜部分之特定区域的反射光者,前述判定部,基于藉由前述第3受光手段所接受之光量,进一步可区别前述不良铜部分的有无,该结果区别有前述不良铜部分时,最终地判定前述特定区域为前述不良铜部分。10.一种铜箔检查方法,其包含下列步骤:照射光至铜箔表面,藉由第1受光手段接受来自前述铜箔表面的正反射光,藉由第2受光手段接受来自前述铜箔表面的散射光,藉由前述第1受光手段接受之铜箔表面的特定区域的光的光量在第1临界値以上,并藉由前述第2受光手段接受之前述特定区域的光的光量较第1临界値小的第2临界値以下时,判定前述特定区域为不良铜部分。11.根据申请专利范围第10项之铜箔检查方法,其中前述判定系藉由第1受光手段接受之光的光量较第1临界値大的第3临界値以上的区域,存在于前述特定区域的内部时,判定前述特定区域为前述不良铜部分。12.根据申请专利范围第10项之铜箔检查方法,其中前述判定系在前述特定区域为特定大小以上时,判定特定区域为前述不良铜部分。13.根据申请专利范围第11项之铜箔检查方法,其中前述判定系在前述特定区域为特定大小以上时,判定特定区域为前述不良铜部分。14.根据申请专利范围第10项之铜箔检查方法,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。15.根据申请专利范围第11项之铜箔检查方法,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。16.根据申请专利范围第12项之铜箔检查方法,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。17.根据申请专利范围第13项之铜箔检查方法,其中第2受光手段系从被检查面的正面接受散射光。18.根据申请专利范围第10至17项中任一项之铜箔检查方法,其中藉由较第1及第2受光手段解析度更高的第3受光手段,再次接受来自判定为前述不良铜部分之特定区域的反射光,前述判定,系基于藉由前述第3受光手段所接受之光量,更区别前述不良铜部分的有无,该结果区别有前述不良铜部分时,最终地判定为前述不良铜部分。图式简单说明:图1系为本实施形态的铜箔检查装置的一部分概略构成图。图2系为第1实施形态的讯号处理部分的概略方块图。图3A至图3C系为藉由CCD感应器之读取影像的例。图4系为反射光处理的流程图。图5系为散射光处理的流程图。图6系为判定处理的流程图。图7系为显示高解像度CCD像机及铜箔的位置之图。图8系为第2实施形态的讯号处理部分的概略方块图。图9系为验证处理流程图。 |
