| 主权项 |
1.一种非挥发性可变电阻器,包含:彼此面对并形成 在一基底上之一第一电极和一第二电极;以及一形 成在第一电极和第二电极间之非挥发性可变阻抗 体,其特征为: 第一电极和第二电极在基底一表面之一方向中彼 此面对。 2.如申请专利范围第1项之非挥发性可变电阻器,其 中, 非挥发性可变阻抗体是形成在第一电极之一外表 面上,且第二电极是形成在非挥发性可变阻抗体之 一外表面上。 3.如申请专利范围第2项之非挥发性可变电阻器,其 中, 第一电极为圆柱状或角柱状。 4.如申请专利范围第3项之非挥发性可变电阻器,其 中, 非挥发性可变阻抗体是由一黄褐矿物结构之氧化 锰制成。 5.如申请专利范围第4项之非挥发性可变电阻器,其 中, 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3, La.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3以及 La.sub.(l-x-y)Ca.sub.xPb.sub.yMnO.sub.3.。 6.如申请专利范围第5项之非挥发性可变电阻器,其 中 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.0.7Ca.sub.0.3MnO.sub.3, La.sub.0.65Ca.sub.0.35MnO.sub.3以及 La.sub.0.65Ca.sub.0.175Pb.sub.0.175 MnO.sub.3。 7.如申请专利范围第1项之非挥发性可变电阻器,其 中 第一电极为圆柱状或角柱状。 8.如申请专利范围第7项之非挥发性可变电阻器,其 中 非挥发性可变阻抗体是由一黄褐矿物结构之氧化 锰制成。 9.如申请专利范围第8项之非挥发性可变电阻器,其 中, 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3, La.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3以及 La.sub.(l-x-y)Ca.sub.xPb.sub.yMnO.sub.3.。 10.如申请专利范围第9项之非挥发性可变电阻器, 其中 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.0.7Ca.sub.0.3MnO.sub.3, La.sub.0.65Ca.sub.0.35MnO.sub.3以及 La.sub.0.65Ca.sub.0.175Pb.sub.0.175 MnO.sub.3。 11.如申请专利范围第1项之非挥发性可变电阻器, 其中 非挥发性可变阻抗体是由一黄褐矿物结构之氧化 锰制成。 12.如申请专利范围第11项之非挥发性可变电阻器, 其中, 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3, La.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3以及 La.sub.(l-x-y)Ca.sub.xPb.sub.yMnO.sub.3.。 13.如申请专利范围第12项之非挥发性可变电阻器, 其中 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.0.7Ca.sub.0.3MnO.sub.3, La.sub.0.65Ca.sub.0.35MnO.sub.3以及 La.sub.0.65Ca.sub.0.175Pb.sub.0.175 MnO.sub.3。 14.一种在基底上具矩阵式记忆体胞布置之记忆体 装置,各记忆体胞由一非挥发性可变电阻器和一选 取装置组成,该选取装置连接至非挥发性可变电阻 器用以选取非挥发性可变电阻器,其特征为, 非挥发性可变电阻器包含: 在基底一表面之一方向中彼此面对并形成在基底 上之一第一电极和一第二电极;以及一形成在第一 电极和第二电极间之非挥发性可变阻抗体。 15.如申请专利范围第14项之记忆体装置,其中,非挥 发性可变阻抗体是形成在第一电极之一外表面上, 且第二电极是形成在非挥发性可变阻抗体之一外 表面上。 16.如申请专利范围第15项之记忆体装置,其中,第一 电极为圆柱状或角柱状。 17.如申请专利范围第16项之记忆体装置,其中,非挥 发性可变阻抗体是由一黄褐矿物结构之氧化锰制 成。 18.如申请专利范围第17项之记忆体装置,其中, 氧化锰为以下任一样: Pr.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3, La.sub.(l-x)Ca.sub.xMnO.sub.3以及 La.sub.(l-x-y)Ca.sub.xPb.sub.yMnO.sub.3.。 19.如申请专利范围第14项之记忆体装置,其中,选取 装置从非挥发性可变电阻器中选取一电阻器,加以 控制施加至其中一非挥发性可变电阻器之电流。 20.如申请专利范围第19项之记忆体装置,其中,选取 装置为形成在基底上之一电晶体或二极体。 21.如申请专利范围第20项之记忆体装置,其中,电晶 体为一MOS电晶体,且MOS电晶体之一汲极是连接至第 一电极。 22.如申请专利范围第20项之记忆体装置,其中,二极 体之阴极是连接至第一电极。 23.如申请专利范围第19项之记忆体装置,其中,记忆 体胞各具一字元线连接至选取装置及一位元线连 接至非挥发性可变电阻器,且第二电极是连接至位 元线。 24.如申请专利范围第14项之记忆体装置,其中,记忆 体胞各具一字元线连接至选取装置及一位元线连 接至非挥发性可变电阻器,且第二电极是连接至位 元线。 25.一种非挥发性可变电阻器之定比方法,该电阻器 包含在一基底一表面之一方向中彼此面对并形成 在该基底上之一第一电极和一第二电极,及一形成 在第一电极和第二电极间之非挥发性可变阻抗体, 该方法包含以下步骤: 对第一电极之一平面尺度应用缩小定比;以及 对第一电极之一高度尺度应用放大定比。 26.如申请专利范围第25项一非挥发性可变电阻器 之定比方法,其中 以倍率1/k倍(k>1)应用缩小定比,而以倍率k倍应用放 大定比。 图式简单说明: 第1A和1B图表示根据一第一实施例之一非挥发性可 变电阻器中一定比方式之说明图。 第2图表示根据第一实施例之非挥发性可变电阻器 可抑制由于定比所致之阻抗增加之说明; 第3图表示根据第一实施例之非挥发性可变电阻器 可抑制由于定比所致之阻抗增加之说明; 第4A和4B图说明根据一第二实施例之记忆体装置中 一1T1R型记忆体胞结构之说明图; 第5A和5B图说明根据一第二实施例之记忆体装置中 一1D1R型记忆体胞结构之说明图; 第6A至6D图说明根据一第三实施例之一非挥发性可 变电阻器中定比方式之说明图; 第7图表示使用一习知非挥发性可变电阻器之一记 忆体装置外观之说明图; 第8图表示有关在第7图中之记忆体装置中施加一 电压脉冲之阻抗値变化方式图。 第9图表示在一使用习知非挥发性可变电阻器之记 忆体装置中一记忆体胞实例之电路图; 第10图表示在一使用习知非挥发性可变电阻器之 记忆体装置中一记忆体胞实例之电路图; 第11图为一习知1T1R型记忆体胞之示意切面图。 第12图为一习知1D1R型记忆体胞之示意切面图。 第13A和13B图为表示习知非挥发性可变电阻器中一 定比方式之说明图。 第14A和14B图用以说明随一非挥发性可变电阻器之 阻抗增加而缩小之特性。 |
