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发明名称 method for fabricating substate of GaN semiconductor laser diode
摘要
申请公布号 KR100519326(B1) 申请公布日期 2005.10.07
申请号 KR19990014080 申请日期 1999.04.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/268;(IPC1-7):H01L21/268 主分类号 H01L21/268
代理机构 代理人
主权项
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