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Vorgestellt wird ein Verfahren zur Strukturierung einer sich in lateraler Richtung erstreckenden ersten Schicht (18) in einem Halbleiterbauelement (10) mit Hilfe einer reaktionsfähigen zweiten Schicht (24), die mit der zu strukturierenden ersten Schicht (18) erste Reaktionsprodukte (28) bildet, die durch einen selektiv auf die ersten Reaktionsprodukte (28) wirkenden Materialabtrag entfernt werden. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Strukturierung in vertikaler Richtung erfolgt.
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