发明名称 | 半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法以及所用的层压保护片和半导体晶片的加工方法 | ||
摘要 | 本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后,在搬运等情况下,能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外,本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。 | ||
申请公布号 | CN1679157A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
申请号 | CN03820410.X | 申请日期 | 2003.08.21 |
申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 妹尾秀男;永元公市;堀米克彦;大桥仁 |
分类号 | H01L21/68;H01L21/304;C09J7/02 | 主分类号 | H01L21/68 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 胡烨 |
主权项 | 1.半导体晶片的保护结构,其特征在于,将外径大于半导体晶片的保护片层压在该半导体晶片的电路面上而形成。 | ||
地址 | 日本东京 |