| 发明名称 | 有源矩阵基片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种有源矩阵基片，包括由树脂构成的基片(1)和在基片(1)上形成的多晶硅薄膜二极管(11)。多晶硅薄膜二极管(11)可以是在中心具有掺杂区的横向二极管。作为选择，多晶硅薄膜二极管(11)可以由并行电连接的并在对置方向设置的两个横向二极管构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1221844C | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN02127312.X | 申请日期 | 2002.07.31 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 奥村展;助川统 |
| 分类号 | G02F1/136;H01L21/3205 | 主分类号 | G02F1/136 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种有源矩阵基片，包括：(a)由树脂构成的基片；和(b)在上述基片上形成的作为横向二极管的多晶硅薄膜二极管。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||