发明名称 |
集成电路器件 |
摘要 |
一种半导体集成电路器件,其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区,其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间,具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的,而第二温度监视元件的是正的。 |
申请公布号 |
CN1677671A |
申请公布日期 |
2005.10.05 |
申请号 |
CN200510062739.6 |
申请日期 |
2005.03.29 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
发明人 |
大洼宏明;中柴康隆;川原尚由;村濑宽;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 |
分类号 |
H01L27/04;H01L27/06;H01L23/58;G01K7/22;G01K7/18 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1.一种集成电路器件,包括:基片;设在所述基片上的多层布线层;设在重叠于所述多层布线层上的一层上面的第一温度监视元件,它的电阻率具有负温度系数,并在它的一端加给第一基准电位;以及第二温度监视元件,它的一端与所述第一温度监视元件的另一端相连,其电阻率具有正温度系数,并在其另一端加给不同于所述第一基准电位的第二基准电位。 |
地址 |
日本神奈川县 |