| 发明名称 | 绝缘层上覆硅（SOI）组件的联机结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体接触窗联机结构及其形成的方法，此联机结构具有一绝缘衬底；一第一半导体组件，形成于该绝缘衬底上；一非导电性栅极内联机层，形成于该绝缘衬底上，该非导电性栅极内联机层连接第二半导体组件的栅极；以及一硅化物层，形成于该栅极内联机层以及该第一半导体组件的有源区上，借此形成连接。通过本发明的方法所生产的电路具有较低的接触窗数目、复杂度与尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1677681A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200410058645.7 | 申请日期 | 2004.07.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖忠志 |
| 分类号 | H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84 | 主分类号 | H01L27/12 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种半导体接触窗连接线结构，包含：一绝缘衬底；一第一半导体组件，形成于该绝缘衬底上；一非导电性栅极内联机层，形成于该绝缘衬底上，该非导电性栅极内联机层连接第二半导体组件的栅极；以及一硅化物层，形成于该栅极内联机层以及该第一半导体组件的有源区上，借此以形成连接。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||