| 发明名称 | 集成电路器件及其制造方法以及形成钒氧化物膜的方法 | ||
| 摘要 | 在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1677670A | 申请公布日期 | 2005.10.05 |
| 申请号 | CN200510062519.3 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 | 发明人 | 川原尚由;村濑宽;大漥宏明;中柴康隆;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/822;H01L21/3213 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种集成电路器件，包括：电阻膜，连接于两个布线之间，并且包含钒氧化物；第一膜，位于所述电阻膜上，从垂直于所述电阻膜的上表面的方向看形成为与所述电阻膜具有相同图形，并且是由不同于钒氧化物的第一材料制成；以及第二膜，位于所述第一膜上，从垂直于所述电阻膜的上表面的方向看形成为与所述电阻膜和所述第一膜具有相同图形，并且是由不同于钒氧化物和所述第一材料的第二材料制成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||