| 摘要 |
一种新制程，用来降低反应室(process chamber)中的元件污染微粒产生。其中反应室特别是指在执行物理气相沉积(PVD)或其他程序前，用来清洗基材的蚀刻反应室(etch chamber)或预清洗反应室(pre–clean chamber)。反应室通常含有数个天线，用来将偏压(bias)自偏压电源传导至组合台座(pedestal assembly)上的基材。本发明制程系将天线自组合台座上移除。在处理基材时，若将天线自反应室中移除便不会产生元件污染微粒。并且，亦不会在组合台座与反应室壁或反应室中的其他元件之间产生电弧(electrical arcing)而造成操作功率耗损。 |
