发明名称 半导体装置
摘要 在具有第1层之电极和平板状之第2层电极之双极性电晶体,搭接线焊接(wire bonding)之固定位置之限制少因而组立时之通用性高。同时,第2层之基极电极(6)和射极电极,由于仅仅以各矩形之其中一边相邻接,故光罩之偏移或为了获得所期望之光阻图案之间隙距离,仅考虑此部分即可。但是,依外部端子之配置,却出现无法解决射极电阻之降低或不易推动晶片薄型化之问题。本发明乃将第1层之基极电极作为阶梯状之图案,于其中间,并列配置第1层之射极电极。同时,将第2层之电极层作为平板状,而将第1层之并列之射极电极及基极电极与相邻于第2层之电极之边并列配置。藉此,即使将搭接线固定于将第1层之基极电极扎成阶梯状之端部附近之第2电极,亦可降低射极电阻,进而有助于晶片薄型化。
申请公布号 TW200532913 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093134244 申请日期 2004.11.10
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 赤木修
分类号 H01L29/72 主分类号 H01L29/72
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本