PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A BASE EXTRINSEQUE MONOCRISTALLINE

摘要

L'invention concerne un procédé de formation d'un transistor bipolaire dans un substrat semiconducteur (20) d'un premier type de conductivité, comportant les étapes suivantes :a) former sur le substrat une couche monocristalline de silicium-germanium (22) ;b) former une couche de silicium monocristallin (24) fortement dopée d'un second type de conductivité ;c) former une couche d'oxyde de silicium (26) ;d) ouvrir une fenêtre (28) dans les couches d'oxyde de silicium et de silicium ;e) former sur les parois de la fenêtre un espaceur (30) en nitrure de silicium ;f) éliminer la couche de silicium-germanium depuis le fond de la fenêtre ;g) former dans la cavité (31) résultante de l'élimination précédente une couche semiconductrice monocristalline (32) fortement dopée du second type de conductivité ; eth) former dans ladite fenêtre l'émetteur (36) du transistor.