浮置栅极的形成方法

摘要

一种浮置栅极的形成方法，此方法先提供衬底，且衬底上已形成有图案化的衬层与掩模层，以及于衬底中已形成有沟渠。之后，于沟渠表面形成穿隧氧化层。然后，于沟渠中填入导体层。接着，进行一蚀刻步骤，以于沟渠侧壁形成顶部边角为尖锐角的第一浮置栅极及第二浮置栅极。

主权项

1.一种浮置栅极的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底包括至少一元件隔离结构，由该元件隔离结构所定义出的一有源区，形成于该有源区的该衬底上的一衬层，形成于该衬层上的一掩模层，以及一沟渠，其中该沟渠贯穿该衬层与该掩模层形成于该衬底中；于该沟渠表面形成一穿隧氧化层；于该沟渠中填入一导体层；进行一等向性蚀刻步骤，移除部分该导体层，其中所保留的该导体层的上表面为一圆弧状的凹陷表面；进行一非等向性蚀刻步骤，并利用该非等向性蚀刻步骤中所生成的一副产物为掩模，移除部分该导体层及部分该穿隧氧化层，藉以暴露部分的该衬底；以及移除该副产物、该掩模层及该衬层，以于该沟渠侧壁形成一第一浮置栅极及一第二浮置栅极，其中该第一浮置栅极及该第二浮置栅极与该沟渠侧壁邻接的顶部边角为一尖锐角。