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发明名称 FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING OF FIN THEREIN
摘要
申请公布号 KR100517559(B1) 申请公布日期 2005.09.28
申请号 KR20030042736 申请日期 2003.06.27
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/84;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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