发明名称 聚吡咯气敏传感器
摘要 一种聚吡咯气敏传感器,其特征在于:将以化学气相沉积有聚吡咯膜的丝网印刷电极为工作电极,甘汞电极为参考电极,铂盘电极为对电极,放入已用氮气除氧的掺杂溶液中,该掺杂溶液中含0.1M掺杂离子,如ClO<SUB>4</SUB><SUP>-</SUP>离子、对甲基苯璜酸离子,在设定电位下-0.5V下进行电化学去掺杂100秒,取出用去离子水冲洗干净;然后在0.6V电位下进行电化学掺杂100秒,得到掺杂的聚吡咯气敏。同现有技术比较,本发明的优点是:本聚吡咯气敏传感器可以在室温下工作,且其工作性能比未经去掺杂-掺杂的同类传感器优越得多。
申请公布号 CN1673730A 申请公布日期 2005.09.28
申请号 CN200510049518.5 申请日期 2005.03.31
申请人 浙江大学 发明人 陈裕泉;陈大竞;吴维明
分类号 G01N27/407;G01N27/28 主分类号 G01N27/407
代理机构 杭州之江专利事务所 代理人 连寿金
主权项 1.一种聚吡咯气敏传感器,包括去掺杂-掺杂前的聚吡咯气敏传感器,其特征在于:将以化学气相沉积有聚吡咯膜的丝网印刷电极为工作电极,甘汞电极为参考电极,铂盘电极为对电极,放入已用氮气除氧的掺杂溶液中,该掺杂溶液中含0.1M掺杂离子,如ClO4-离子、对甲基苯璜酸离子,在设定电位下-0.5V下进行电化学去掺杂100秒,取出用去离子水冲洗干净;然后在0.6V电位下进行电化学掺杂100秒,得到掺杂的聚吡咯气敏,将掺杂好的气敏电极放入烘箱中,40℃烘干24小时备用。
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