<p>Es wird eine EEPROM-Speicherzelle für den Einsatz bei hohen Temperaturen beschrieben, die mit der SOI-Technologie hergestellt ist. Konventioneller Weise besteht eine EEPROM-Zelle für hohe Temperaturen aus drei MOS-Transistoren. Die erfindungsgemäße EEPROM-Zelle ist aus einem Speichertransistor mit einem Floating-Gate und einem Hochvolttransistor mit frei belegbaren BodyAnschluss aufgebaut. Durch eine konstruktive Änderung im Aufbau des Hochvolttransistors kann ein dritter Transistor in der Speicherzelle vermieden werden, wodurch ihre Halbleiterscheibenfläche und damit Kosten eingespart werden.</p>
