| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors |
| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, in dem nach dem Ätzen der Gateelektrode die Entfernung der Ätzmaske entfällt, da die Ätzmaske als Gatedielektrikum dient. Die Ätzmaske bzw. das Dielektrikum besteht aus einer selbstorganisierten Monolage einer organischen Verbindung. |
| 申请公布号 |
DE102004009601(A1) |
申请公布日期 |
2005.09.22 |
| 申请号 |
DE20041009601 |
申请日期 |
2004.02.27 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ZSCHIESCHANG, UTE;KLAUK, HAGEN;HALIK, MARCUS;SCHMID, GUENTER;BRAUN, STEFAN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;(IPC1-7):H01L51/40;H01L51/20 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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