| 主权项 |
1.一种晶圆级光电半导体组装构造,其构造包含:晶圆,具有正面及背面,且该正面具有覆盖晶粒接合之预定位置;光电半导体晶粒,具有晶粒接点,以与该晶圆正面之预定位置相接合;及导电材料,位于该晶圆之正面,用以连接该发光二极体及该晶圆。2.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该晶圆对该光电半导体晶粒之接合方式可为金属对金属共晶或不同金属间熔接、金对锡或锡对锡之接合形式。3.如申请专利范围第2项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该晶圆对该光电半导体晶粒之接合方式可为金对金共晶、金对锡熔接接合或锡对锡之共晶或熔接接合形式。4.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该导电材料为网板或钢板印刷所形成。5.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该覆盖晶粒接点位于光电半导体晶粒的中央、边缘或整面区域。6.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该晶圆内形成有过电压保护、稳压、稳流、杂讯滤除功能或防静电构造植设计于晶圆中,与该光电半导体晶粒并连。7.如申请专利范围第6项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该过电压保护电路系由二相向之过电压保护二极体串接而成。8.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该导电材料为焊锡膏或银胶所形成。9.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,其中该光电半导体晶粒之设置方式系包括复数组红绿蓝三色或紫外光、红外光等之RGB发光二极体设于一特定区块内。10.如申请专利范围第1项所述晶圆级光电半导体组装构造,进一步包含高分子封装构造包围该光电半导体晶粒。11.一种晶圆级光电半导体组装构造之制造方法,其步骤包含:准备一具备覆盖晶粒接合之预定位置之晶圆;涂布导电材料于该预定位置;将光电半导体晶粒层叠于该晶圆之导电材料上;以高分子材料封装该光电半导体晶粒形成一半成品;切割该高分子封装后之半成品成为光电半导体晶粒组装构造。12.如申请专利范围第11项所述晶圆级光电半导体组装构造之制造方法,其中该晶圆具有过电压保护、稳压、稳流、控制、杂讯滤除功能或防静电构造植于晶圆中与该预定位置相连。图式简单说明:第一图:为习知之发光二极体封装构造示意图;第二图:为习知之发光二极体封装构造之上视图;第三图:为本发明实施之晶圆级光电半导体组装构造之上视图;第四图:为本发明每一光电半导体晶粒与晶圆黏合之剖面构造示意图;第五图:为本发明R、G、B三色晶粒组合之上视图;第五A图:为本发明直接制作出RGB晶粒模组之上视图;及第六图:为本发明另一实施例之示意图。 |
