| 主权项 |
1.一种深沟渠式电容器的制造方法,包括:在一基底中形成一浅沟渠;在该浅沟渠底部之表面上形成一掺杂层;进行一热制程,以使该掺杂层中之离子扩散至该基底中而形成一掺杂区;对该浅沟渠进行一蚀刻制程以形成一深沟渠;在该深沟渠底部之该基底中形成一下电极;在该深沟渠底部之表面形成一介电层;以及在该深沟渠中形成一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该掺杂区与该下电极系为相反型态之掺质。3.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该掺杂区系位于该基底表面下方大于1微米处。4.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中形成该深沟渠之步骤包括进行一瓶状深沟渠制程以形成一瓶状深沟渠。5.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在该浅沟渠底部之表面上形成该掺杂层之方法包括:在该基底上方以及该浅沟渠表面形成一共形掺杂层;在该浅沟渠内填入一光阻层,且该光阻层未填满该浅沟渠;移除未被该光阻层覆盖之该共形掺杂层;以及移除该光阻层。6.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中形成该掺杂区的方法包括:在该浅沟渠底部之表面上形成该掺杂层;在该基底之上方以及该浅沟渠之表面形成一氧化矽覆盖层;进行该热制程,以使该掺杂层中之离子扩散至该基底中以形成该掺杂区;以及移除该掺杂层与该氧化矽覆盖层。7.一种动态随机存取记忆体的制造方法,包括:在一基底中形成一浅沟渠;在该浅沟渠底部之表面上形成一掺杂层;进行一第一热制程,以使该掺杂层中之离子扩散至该基底中而形成一第一掺杂区;对该浅沟渠进行一蚀刻制程以形成一深沟渠;在该深沟渠底部之该基底中形成一下电极;在该深沟渠底部之表面形成一介电层;在该深沟渠中形成一上电极,其中该上电极、该介电层与该下电极系构成一沟渠式电容器;以及在该基底上方形成一主动元件,该主动元件包括一闸极与一源极/汲极,其中该源极/汲极系藉由一第二掺杂区与该沟渠式电容器之上电极电性连接。8.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第一掺杂区与该下电极系为相反型态之掺质。9.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第一掺杂区系位于该基底表面下方大于1微米处。10.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中形成该深沟渠之步骤包括进行一瓶状深沟渠制程以形成一瓶状深沟渠。11.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中在该浅沟渠底部之表面上形成该第一掺杂层之方法包括:在该基底上方以及该浅沟渠表面形成一共形掺杂层;在该浅沟渠内填入一光阻层,且该光阻层未填满该浅沟渠;移除未被该光阻层覆盖之该共形掺杂层;以及移除该光阻层。12.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中形成该第一掺杂区的方法包括:在该浅沟渠底部之表面上形成该掺杂层;在该基底之上方以及该浅沟渠之表面形成一氧化矽覆盖层;进行该第一热制程,以使该掺杂层中之离子扩散至该基底中以形成该第一掺杂区;以及移除该掺杂层与该氧化矽覆盖层。13.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第二掺杂区系形成于形成该上电极的步骤中由该上电极扩散出来而形成的。图式简单说明:第1图是习知的一种动态随机存取记忆体之剖面示意图;以及第2A图至第2N图是依照本发明之一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体之制程剖面示意图。 |
