介层窗之制造方法

摘要

一种介层窗的制造方法，系在一般钨插塞之介层窗制程后，形成一层阻障层来填补钨插塞沈积制程所形成的孔洞与开口。接着，经过平坦化步骤后，便完成具有平坦表面的介层窗。其中，此阻障层的材料可为氮化钛、钨化钛或钛金属等，经由化学气相沈积或物理气相沈积所形成。此介层窗之制造方法，可防止光阻材料残留在钨插塞孔洞中，因此，不会造成后续制程或产品的缺陷，有利于提高生产的良率。

主权项

1.一种介层窗之制造方法,至少包括:提供一基材;形成一介电层在该基材上;形成一介层洞在该介电层上;形成一第一阻障层在该介电层上,并保留该介层洞之部分区域;形成一金属层在该第一阻障层上,其中该金属层中更包括一孔洞;平坦化该金属层以暴露出该孔洞;形成一第二阻障层以覆盖该介电层、该第一阻障层、该金属层与该孔洞;平坦化该第二阻障层,藉以曝露出该介电层;以及形成一光阻层以覆盖该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之第一阻障层系由氮化钛所构成。3.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中该第一阻障层系由钨化钛所构成。4.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之形成该第一阻障层之步骤系利用化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之平坦化该金属层之步骤系利用回蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之平坦化该金属层之步骤系利用化学机械研磨法。7.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之第二阻障层系由氮化钛所构成。8.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中该第二阻障层系由钨化钛所构成。9.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中该第二阻障层系由钛金属所构成。10.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之形成该第二阻障层之步骤系利用物理气相沈积法。11.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述形成该第二阻障层之步骤系利用化学气相沈积制程。12.如申请专利范围第1项所述之介层窗之制造方法,其中上述之平坦化该第二阻障层之步骤系利用化学机械研磨法。13.一种介层窗之制造方法,至少包括:提供形成有一介电层之一基材;形成一介层洞在该介电层上;形成一钨金属层在该介电层上,其中在该介层洞中具有未被该钨金属层所填满之复数个孔洞;平坦化该钨金属层,而暴露出该些孔洞;形成一阻障层以覆盖该些孔洞;平坦化该阻障层,藉以曝露出该介电层;以及形成一光阻层以覆盖该介电层。14.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中上述之平坦化该钨金属层之步骤系利用回蚀刻制程。15.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中上述之平坦化该钨金属层之步骤系利用化学机械研磨法。16.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中上述之阻障层系由氟化钛所构成。17.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中该阻障层系由钨化钛所构成。18.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中该阻障层系由钛金属所构成。19.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中上述之形成该阻障层之步骤系利用物理气相沈积法。20.如申请专利范围第13项所述之介层窗之制造方法,其中上述之形成该阻障层之步骤系利用化学气相沈积制程。图式简单说明:第1图至第5图所绘示为习知介层窗之制造流程剖面图;以及第6图至第12图所绘示为本发明介层窗之制造流程剖面图。