| 主权项 |
1.一种切割晶圆之方法,该晶圆具有一钻石结构之一基础材料,且该切割晶圆之方法至少包括:从该晶圆之背面磨除该晶圆之一预设部分;以及通过至少一线切割该晶圆,其中该线沿着从该钻石结构之一天然裂缝方向偏移一预设偏移角之一方向。2.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中经磨除后,该晶圆之厚度小于35密尔。3.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中经磨除后,该晶圆之厚度小于25密尔。4.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该预设偏移角介于30度至60度之间。5.如申请专利范围第4项所述之切割晶圆之方法,其中该预设偏移角实质等于45度。6.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该基础材料为矽质材料。7.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该基础材料为砷化镓。8.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该基础材料为矽锗。9.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中切割该晶圆之步骤更包括:进行一第一切割,以在该晶圆上形成一第一切割凹陷;以及在该第一切割凹陷内进行一第二切割,以形成宽度小于该第一切割凹陷之宽度的一第二切割凹陷。10.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中切割该晶圆之步骤更包括于以相对于该晶圆之一表面的一预设角度,于该晶圆上嵌入一切割工具。11.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度小于77度。12.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度小于56度。13.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度小于48度。14.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度小于37度。15.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度系利用数学方式并藉由公式ArcCos[(n2)/sqrt(n2+k2+12)]来决定,其中n、k、1为整数,且0≦(n, k, 1)≦4。16.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度系利用数学方式并藉由公式ArcCos[(k2)/sqrt(n2+k2+12)]来决定,其中n、k、1为整数,且0≦(n, k, 1)≦4。17.如申请专利范围第10项所述之切割晶圆之方法,其中该预设角度系利用数学方式并藉由公式ArcCos[(12)/sqrt(n2+k2+12)]来决定,其中n、k、1为整数,且0≦(n, k, 1)≦4。18.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中切割该晶圆之步骤更包括利用一流体束来切割该晶圆。19.如申请专利范围第18项所述之切割晶圆之方法,其中该流体束系一喷射水。20.如申请专利范围第19项所述之切割晶圆之方法,其中该喷射水具有一预设表面能,而使切割该晶圆之该流体束得以维持。21.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中切割该晶圆之步骤更包括利用一雷射光束来切割该晶圆。22.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中切割该晶圆之步骤更包括沿着切割之该线形成一或复数个凹陷。23.如申请专利范围第22项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷之区域连接成一或复数个凹陷沟槽。24.如申请专利范围第22项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷位于形成于该晶圆上之一晶粒的下层。25.如申请专利范围第22项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷实质上与形成于该晶圆上之一晶粒之一上表面位于同一高度。26.如申请专利范围第22项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷填充有一或复数个有机材料,以吸收于切割该晶圆期间所产生之应力。27.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该晶圆系一{110}晶圆,且该天然裂缝方向系一<100>方向。28.如申请专利范围第1项所述之切割晶圆之方法,其中该晶圆系一{100}晶圆,且该天然裂缝方向系一<110>方向。29.一种切割晶圆之方法,该晶圆具有一钻石结构之一基础材料,且该切割晶圆之方法至少包括:形成具有至少一边之一或复数个晶粒,该边从该钻石结构之一天然裂缝方向偏移一偏移角,而该些晶粒具有一或复数个保护元件沿着至少一切割线;以及沿该切割线切割该晶圆,其中该些保护元件保护该些晶粒,使该些晶粒在沿着该切割线切割该晶圆时不会产生不想要之碎裂。30.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该些保护元件为复数个金属质元件形成于该晶圆上。31.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该些保护元件为复数个介电质元件形成于该晶圆上。32.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该些保护元件为一或复数个凹陷形成于该晶圆中。33.如申请专利范围第32项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷位于形成于该晶圆上之晶粒的下层。34.如申请专利范围第32项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷实质上与形成于该晶圆上之晶粒之一上表面位于同一高度。35.如申请专利范围第32项所述之切割晶圆之方法,其中该些凹陷填充有一或复数个有机材料,以吸收于切割该晶圆期间所产生之应力。36.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该些保护元件位于该些晶粒周围之一或复数个预设位置。37.如申请专利范围第36项所述之切割晶圆之方法,其中该些保护元件位于该些晶粒之周围且不与该些晶粒之一核心电路系统相连。38.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该晶圆系一{110}晶圆,且该天然裂缝方向系一<100>方向。39.如申请专利范围第29项所述之切割晶圆之方法,其中该晶圆系一{100}晶圆,且该天然裂缝方向系一<110>方向。40.一晶圆,至少包括:一或复数个晶粒形成于该晶圆上,其中该些晶粒之至少一边从形成该晶圆之一基础材料之一钻石结构的一天然裂缝方向偏移一偏移角;以及至少一切割线具有一或复数个保护元件,以保护该些晶粒,使该些晶粒在沿着该切割线切割该晶圆时不会产生不想要之碎裂。41.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该些晶粒形成于该切割线之二侧。42.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该些保护元件为复数个金属质元件形成于该晶圆上。43.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该些保护元件为复数个介电质元件形成于该晶圆上。44.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该些保护元件为一或复数个凹陷形成于该晶圆中。45.如申请专利范围第44项所述之晶圆,其中该些凹陷位于形成于该晶圆上之晶粒的下层。46.如申请专利范围第44项所述之晶圆,其中该些凹陷实质上与形成于该晶圆上之晶粒之一上表面位于同一高度。47.如申请专利范围第46项所述之晶圆,其中该些凹陷填充有一或复数个有机材料,以吸收于切割该晶圆期间所产生之应力。48.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该些保护元件位于该些晶粒周围之一或复数个预设位置。49.如申请专利范围第48项所述之晶圆,其中该些保护元件位于该些晶粒之周围且不与该些晶粒之一核心电路系统相连。50.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该晶圆系一{110}晶圆,且该天然裂缝方向系一<100>方向。51.如申请专利范围第40项所述之晶圆,其中该晶圆系一{100}晶圆,且该天然裂缝方向系一<110>方向。图式简单说明:第1A图至第1C图系绘示一种晶圆所使用之矽质材料之三种晶方向的示意图。第2图系绘示一种矽晶圆之上视图,其中此矽晶圆上之晶粒沿着矽晶圆之天然裂缝方向排列。第3图系绘示一种矽晶圆之上视图,其中制作于此矽晶圆上之晶粒之至少一边界线从矽质材料之天然裂缝方向偏离。第4图系绘示依照本发明一实施例的一种晶圆之上视图,其中此晶圆上设有保护元素。第5图系绘示依照本发明一实施例的一种具有保护元素之晶圆的上视图。 |
