发明名称 具有高击穿电压的立式元件
摘要 本发明涉及一种具有四层结构的立式元件,它包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1),它为该元件提供电压强度,外面围绕着第二导电类型的外围壁(2),从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面,一个第二导电类型的、强烈掺杂的一层(3),延伸覆盖该元件的整个后部表面。在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的一层之间,第二导电类型的、轻微掺杂的一层(21),延伸覆盖着整个元件表面。
申请公布号 CN1220269C 申请公布日期 2005.09.21
申请号 CN01817268.7 申请日期 2001.10.11
申请人 ST微电子公司 发明人 杰拉德·奥列尔
分类号 H01L29/74;H01L29/08 主分类号 H01L29/74
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种立式三端双向可控硅开关元件,包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1),它确定该元件的击穿电压,外面围绕着第二导电类型的外围壁(2),从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面,一个第二导电类型的、强烈掺杂的层(3),延伸覆盖该元件的整个后部表面,其特征在于,在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的层之间的界面上,进一步包括第二导电类型的、轻微掺杂的层(21),延伸覆盖着整个元件表面,包括在第二导电类型的、强烈掺杂的层(3)中后部表面一侧上形成的一个第一导电类型的、强烈掺杂的区域(7),其中在所述强烈掺杂区域(7)之前中断了所述轻微掺杂层(21)。
地址 法国蒙鲁日