发明名称 | 具有高击穿电压的立式元件 | ||
摘要 | 本发明涉及一种具有四层结构的立式元件,它包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1),它为该元件提供电压强度,外面围绕着第二导电类型的外围壁(2),从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面,一个第二导电类型的、强烈掺杂的一层(3),延伸覆盖该元件的整个后部表面。在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的一层之间,第二导电类型的、轻微掺杂的一层(21),延伸覆盖着整个元件表面。 | ||
申请公布号 | CN1220269C | 申请公布日期 | 2005.09.21 |
申请号 | CN01817268.7 | 申请日期 | 2001.10.11 |
申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 杰拉德·奥列尔 |
分类号 | H01L29/74;H01L29/08 | 主分类号 | H01L29/74 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.一种立式三端双向可控硅开关元件,包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1),它确定该元件的击穿电压,外面围绕着第二导电类型的外围壁(2),从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面,一个第二导电类型的、强烈掺杂的层(3),延伸覆盖该元件的整个后部表面,其特征在于,在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的层之间的界面上,进一步包括第二导电类型的、轻微掺杂的层(21),延伸覆盖着整个元件表面,包括在第二导电类型的、强烈掺杂的层(3)中后部表面一侧上形成的一个第一导电类型的、强烈掺杂的区域(7),其中在所述强烈掺杂区域(7)之前中断了所述轻微掺杂层(21)。 | ||
地址 | 法国蒙鲁日 |