发明名称 | 金属薄膜中阈值能氦引入方法 | ||
摘要 | 本发明属核能技术应用领域,具体为一种金属薄膜中阈值氦能引入的方法。它是在采用真空磁控溅射沉积金属薄膜的过程中,引入氦、氩的混合气体,控制合适的氦、氩流量比,并在阴极靶材施加一合适电压,使其产生气体放电,从而得到含氦的金属薄膜。本发明方法对晶体结构无损伤,而且引入的氦分布均匀,浓度可控。本发明中,通入的混合气体中还可加入氢,实现氢、氦双引入。本发明除了可用于氚衰变模拟研究外,还可应用于离子注入氦产生多孔层方面。 | ||
申请公布号 | CN1670242A | 申请公布日期 | 2005.09.21 |
申请号 | CN200510024613.X | 申请日期 | 2005.03.24 |
申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 施立群 |
分类号 | C23C14/35;C23C14/06 | 主分类号 | C23C14/35 |
代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
主权项 | 1、一种金属薄膜中阈值氦能引入方法,其特征在于采用真空磁控溅射沉积薄膜的方法,具体步骤如下:当真空室内的压强小于2×10-4Pa时,通入氦、氩混合气体,并在阴极金属靶材和阴极基片之间施加放电电压,使阴极产生辉光放电;然后打开挡板,在基片上沉积薄膜,即得到含氦的金属薄膜,其中,通入的混合气体中He和Ar的流量比为0.1-48,气体压强小于2Pa;溅射电压为使E1在Ed/G(m,M)±20V之内,E1=E0[(m2-m1)/(m2+m1)]2,G(m,M)=4mM/(m+M)2,Ed为位移能,m、M分别为He原子和金属膜材料原子的质量;基片的温度为室温至500度。 | ||
地址 | 200433上海市邯郸路220号 |