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发明名称
薄膜电阻器结构及制造薄膜电阻器结构之方法
摘要
本发明提供一种薄膜电阻器结构及一种制造薄膜电阻器结构之方法。该薄膜电阻器结构包括一电界面层或头层(25、27),即,钛(Ti)层(20)与氮化钛(TiN)层(22)之组合。该Ti层及TiN层的组合减少与该等电界面层相关的电阻。
申请公布号
TW200531088
申请公布日期
2005.09.16
申请号
TW093137205
申请日期
2004.12.02
申请人
德州仪器公司
发明人
布莱安 维潘朶;艾瑞克W 比奇;菲立普 史汀曼
分类号
H01C7/108
主分类号
H01C7/108
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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