发明名称 薄膜电阻器结构及制造薄膜电阻器结构之方法
摘要 本发明提供一种薄膜电阻器结构及一种制造薄膜电阻器结构之方法。该薄膜电阻器结构包括一电界面层或头层(25、27),即,钛(Ti)层(20)与氮化钛(TiN)层(22)之组合。该Ti层及TiN层的组合减少与该等电界面层相关的电阻。
申请公布号 TW200531088 申请公布日期 2005.09.16
申请号 TW093137205 申请日期 2004.12.02
申请人 德州仪器公司 发明人 布莱安 维潘朶;艾瑞克W 比奇;菲立普 史汀曼
分类号 H01C7/108 主分类号 H01C7/108
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国