连接非挥发性记忆体的导电闸极的导线之制造方法以及非挥发性记忆体结构

摘要

在一个非挥发性记忆体中，选择闸(144S)会由一个导电层(比如多晶矽或多晶矽化金属)构成，而连接选择闸的字元线(144)会由一不同的导电层(比如金属)构成。字元线会覆盖在一层形成在控制闸(134)上的内层介电质(310)上，此介电质的厚度可以加以控制以减少在字元线与控制间之间的电容。在一些实施例中，浮置闸(120)会使用等向性蚀刻浮置闸层，而以自动对准方式形成。