半导体器件的制造方法

摘要

在晶片中形成半导体元件，在该晶片的上层形成包含相对介电系数低的绝缘膜的多层膜。然后，在上述多层膜的切片线上边形成作为位置对准标记和测试焊盘中的至少一方发挥作用的金属层。其次，向把切片线上边的上述位置对准标记和测试焊盘覆盖起来的区域上照射激光。然后，通过对切片线的位置对准标记和测试焊盘中的至少一方上进行比激光的照射区域更窄的机械性的切片，使半导体晶片个片化，形成半导体芯片。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体晶片中形成半导体元件；在上述半导体晶片的上层形成包含相对介电系数低的绝缘膜的多层膜；在上述多层膜的切片线上形成作为位置对准标记和测试焊盘中的至少一方发挥作用的金属层；向将上述切片线上的位置对准标记和测试焊盘覆盖的区域照射激光；和对于上述切片线的上述对准标记和测试焊盘中的至少一方上通过进行比上述激光的照射区域窄的机械性的切片，将上述半导体晶片个片化，形成半导体芯片。