| 发明名称 |
GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2374459(B) |
申请公布日期 |
2005.09.14 |
| 申请号 |
GB20010030203 |
申请日期 |
2001.12.17 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO LTD |
发明人 |
JOON-SEOP * KWAK;KYO-YEOL * LEE;JAE-HEE * CHO;SU-HEE * CHAE |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01S5/02;H01S5/024;H01S5/042;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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