摘要 |
新生成高精度的衬底电流模型,设I<SUB>d</SUB>、V<SUB>ds</SUB>、V<SUB>dsat</SUB>分别是上述MOS晶体管的漏极电流、漏极电压、饱和漏极电压,l<SUB>c</SUB>是特性长,A<SUB>i</SUB>是模型参数,B<SUB>i</SUB>是规定的常数,当采用以I<SUB>sub</SUB>=(A<SUB>i</SUB>/B<SUB>i</SUB>)·(V<SUB>ds</SUB>-V<SUB>dsat</SUB>)·I<SUB>d</SUB>·exp(-B<SUB>i</SUB>·l<SUB>c</SUB>/(V<SUB>ds</SUB>-V<SUB>dsat</SUB>)表示的衬底电流模型公式计算上述的衬底电流I<SUB>sub</SUB>时,令所述特性长l<SUB>c</SUB>为所述MOS晶体管的栅漏间电压V<SUB>gd</SUB>的一次式的函数l<SUB>c</SUB>=l<SUB>c</SUB>[l<SUB>c0</SUB>+l<SUB>c1</SUB>·V<SUB>gd</SUB>],其中:V<SUB>gd</SUB>=V<SUB>gs</SUB>-V<SUB>ds</SUB>,V<SUB>gs</SUB>是MOS晶体管的栅电压;所述V<SUB>gd</SUB>的一次式为(l<SUB>c0</SUB>+l<SUB>c1</SUB>·V<SUB>gd</SUB>),其中l<SUB>c0</SUB>、l<SUB>c1</SUB>分别是模型参数。通过使用该模型,实现高精度的、应用范围广泛的热载流子退化仿真。 |