| 主权项 |
1.一种铜电镀溶液,其可用来进行铜电镀,以填入一半导体基底上之一介电层内之介层窗中,其中该铜电镀溶液包括:一含铜之电解质;有机硫化合物,作为加速剂;以及乙二胺四乙酸(EDTA),作为抑制剂。2.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该含铜之电解质为硫酸铜溶液。3.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该铜电镀溶液为酸性。4.如申请专利范围第3项所述之铜电镀溶液,其中该铜电镀溶液之pH値为3至7之间。5.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该介层窗具有双镶嵌结构。6.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该介电层具有上表面,该介层窗具有底部、上侧壁、和下侧壁,该加速剂倾向于吸附在介层窗之底部和下侧壁,而该EDTA抑制剂倾向于吸附在介层窗上侧壁和介电层上表面。7.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该加速剂之用量为5至1000 mg/1,以铜电镀溶液之总量为基准。8.如申请专利范围第1项所述之铜电镀溶液,其中该EDTA抑制剂之用量为20至120 mg/1,以铜电镀溶液之总量为基准。9.一种铜电镀的方法,包括:提供一半导体基底,该半导体基底上有一介电层,该介电层内有一介层窗;将该半导体基底置入一铜电镀溶液中,施以电压,沈积一铜层在该介层窗内其中该铜电镀溶液包括一含铜之电解质;有机硫化物,作为加速剂;以及乙二胺四乙酸(EDTA),作为抑制剂。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该含铜之电解质为硫酸铜溶液。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该铜电镀溶液为酸性。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该铜电镀溶液之pH値为3至7之间。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介层窗具有双镶嵌结构。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该介电层具有上表面,该介层窗具有底部、上侧壁、和下侧壁,该加速剂倾向于吸附在介层窗之底部和下侧壁,而该EDTA抑制剂倾向于吸附在介层窗上侧壁和介电层上表面。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该加速剂之用量为5至1000 mg/1,以铜电镀溶液之总量为基准。16.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该EDTA抑制剂之用量为20至120 mg/1,以铜电镀溶液之总量为基准。17.如申请专利范围第9项所述之方法,更包括在沈积铜层之后,平坦化该铜层。图式简单说明:第1a至1c图显示使用传统铜电镀溶液在介层窗内电镀铜的制程剖面图。第2a至2c图显示使用本发明之铜电镀溶液在介层窗内电镀铜的制程剖面图。第3图显示加速剂和EDTA抑制剂在介层窗内的吸附情形示意图。第4图显示其上有阻障层和铜晶种层的介层窗。 |
