| 主权项 |
1.一种超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁,其特征在于具有磁铁块材经裁断、挖孔、表面磨削及研磨等机械加工所形成之已挖洞的内表面之圆筒形状或圆盘形状、无洞孔的圆柱形或方柱形状之稀土磁铁,该磁铁系表面积/体积之比率在2mm-1以上,体积在100mm3以下,于相当于正露出该磁铁之最上表面的结晶粒子之半径的深度以上,藉由使由磁铁表面扩散渗透R金属(惟,R系由Y及Nd、Dy、Pr、Ho、Tb选出的稀土元素之一种或二种以上)至该磁铁内部,对由前述加工引起的变质损伤部予以改质,而具有(BH)最大在280kJ/m3以上的磁性。2.如申请专利范围第1项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁,其中该磁铁系Nd-Fe-B系或Pr-Fe-B系,R金属系Dy或Tb。3.一种超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,其特征在于将具有磁铁块经裁断、挖孔、表面磨削及研磨等机械加工所形成之已变质损伤且已挖洞的内表面之圆筒形状或圆盘形状、无洞孔的圆柱形或方柱形状之稀土磁铁,保持于减压槽内,在该减压槽内藉由物理方式使已蒸气或微粒子化的R金属或含R金属的合金(惟,R系由Y及Nd、Dy、Pr、Ho、Tb选出的稀土元素之一种或二种以上)以三维方式飞溅至该磁铁之表面积的全部或一部分并成膜,且于相当于正露出该磁铁之最上表面的结晶拉子之半径的深度以上,藉由使R金属由磁铁表面扩散渗透至该磁铁内部,使由前述加工引起的变质损伤部改质而得申请专利范围第1项或第2项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁。4.如申请专利范围第3项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,其中上述扩散渗透系予边成膜边进行的。5.如申请专利范围第3项或第4项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,其中上述物理方式系藉由离子冲击使已配置于该稀土磁铁周围上的R金属或含R金属的合金而成之复数靶材微粒子化并于该稀土磁铁表面上成膜的溅镀法,或使R金属或含R金属的合金熔融蒸发所产生的粒子离子化并于该稀土磁铁表面上成膜的离子电镀法。6.如申请专利范围第5项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,系藉由旋转或转动自如的保持该稀土磁铁于仅隔离指定距离且对向配置的靶材之中间电浆空间内并予溅镀,使能均匀的成膜于该磁铁之外表面上。7.如申请专利范围第6项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,系将该电极线插入并保持于配置有延至已对向配置的靶材之中间电浆空间的电极线之具有已挖洞的表面之圆筒形状或圆盘形状稀土磁铁之洞孔内,以该电极线为旋转轴并使该磁铁旋转,并使已微粒化的R金属或含R金属之合金飞溅,使能均匀的成膜于该磁铁之外表面上。8.如申请专利范围第7项之超小型制品用的微小、高性能稀土磁铁之制造方法,其中已对向配置的靶材系与该圆筒形状或圆盘形状磁铁之中心轴方向呈同心圆状配置的环状靶材。图式简单说明:第1图系可合适的使用于本发明方法之三维溅镀装置的靶材周围之模式图。第2图系表示本发明试样(1)及(3),与比较例试样(1)之退磁曲线图。第3图系表示形成Dy膜后已热处理的本发明试样(2)之SEM图(a:反射电子像、b:Dy元素影像)之图面代用照相。第4图系本发明及比较例试样之磁铁试样尺度与(BH)最大之关系图。 |
